Φωτοβολταϊκά κύτταρα «διπλού κόμβου» από την Alta Devices

Το αμερικανικό Εθνικό Εργαστήριο Ανανεώσιμων Πηγών Ενέργειας (NREL) επιβεβαίωσε την thin film, ηλιακή τεχνολογία «διπλού κόμβου» σε ένα νέο κύτταρο, από την Alta Devices, με απόδοση μετατροπής 30,8%.

Tweet

Ο Chris Norris, πρόεδρος και διευθύνων σύμβουλος της Alta Devices, δήλωσε: «Η Alta Devices έθετε ρεκόρ απόδοσης από το 2010. Αυτό το νέο ρεκόρ του 30,8% αποτελεί απόδειξη της τεχνολογίας μας και της παγκόσμιας κλάσης της ομάδα μας. Είναι επίσης ένα σημαντικό βήμα προς το στόχο μας για απόδοση 38% στα φωτοβολταϊκά κύτταρα».

Η Alta Devices δήλωσε ότι η νέα τεχνολογία διπλού κόμβου, χρησιμοποιεί ένα δεύτερο κόμβο φωσφωρούχου ινδίου - γαλλίου (InGaP), ως στρώμα απορροφήσεως στην κορυφή της βάσης του μονού κόμβου του κυττάρου. 

Το InGaP είναι γνωστό ότι χρησιμοποιεί υψηλής ενέργειας φωτόνια πιο αποτελεσματικά από ότι ένα ενιαίου κόμβου κύτταρο αρσενικούχου γαλλίου (GaAs). Η Alta Devices, σήμερα, προσφέρει μόνου κόμβου αρσενικούχου γαλλίου (GaAs) τεχνολογία.